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正電子壽命譜分析設(shè)備PSA1技術(shù)分析

發(fā)布時(shí)間:2022-10-31 點(diǎn)擊量:673

正電子壽命譜分析設(shè)備PSA1技術(shù)分析

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它是一種可以使用正電子評(píng)估亞納米尺寸(原子級(jí))的微缺陷和空隙的方法。

正電子壽命測量是一種能夠使用正電子評(píng)估亞納米尺寸(原子級(jí))微缺陷和空隙的技術(shù)。

本設(shè)備的應(yīng)用示例

  •  噴丸質(zhì)量檢查

  • 金屬疲勞損傷評(píng)估

用途

  •  鋼、鋁、鈦等各種金屬

  •  無定形材料,例如玻璃和聚合物

  •  測量深度距表面約 50 μm(鋼材)

正電子壽命法原理

  • 圖1是正電子進(jìn)入金屬材料并湮滅的示意圖。
    正電子壽命測量方法是一種精確測量正電子產(chǎn)生過程中發(fā)射的γ射線與電子對(duì)湮滅過程中產(chǎn)生的γ射線之間的時(shí)間差(正電子壽命)的技術(shù)。
    當(dāng)材料中存在更多空位并且位錯(cuò)密度更高時(shí),正電子壽命更長。

  • 規(guī)格

  • 正電子源Na-22 (~1MBq)
    計(jì)數(shù)率約 100 cps
    測量范圍40 ns(用于金屬、半導(dǎo)體和聚合物)
    附屬設(shè)備?HDO4024(Teledyne LeCroy DSO)、
    (HDO4024 尺寸 W400 × L132 × H292 [mm])
    ?特殊程序
    ?筆記本電腦等



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